당신은 주제를 찾고 있습니까 “제너 다이오드 사용법 – [전기전자 강의] 트랜지스터 12. 제너 다이오드( zener diode ) 와 제너항복의 메카니즘. 터널링 ( tunneling ) 효과가 발생하는 불순물 농도는 어디쯤인가?“? 다음 카테고리의 웹사이트 you.tfvp.org 에서 귀하의 모든 질문에 답변해 드립니다: https://you.tfvp.org/blog/. 바로 아래에서 답을 찾을 수 있습니다. 작성자 SSM 전기전자 강의 이(가) 작성한 기사에는 조회수 18,174회 및 좋아요 205개 개의 좋아요가 있습니다.
제너 다이오드는 전류가 변화되어도 전압이 일정하다는 특징을 이용하여 정전압 회로에 사용되거나, 서지 전류 및 정전기로부터 IC 등을 보호하는 보호 소자로서 사용됩니다. 일반적인 다이오드는 순방향으로 사용되는 것에 반해, 제너 다이오드는 역방향으로 사용된다는 특징이 있습니다.
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***12:55초쯤에 turnneling→tunneling 철자가 틀렸습니다*** 쉬우면서도 회로내에서는 알쏭달쏭한 소자가 제너 다이오드( zener diode )입니다. 일반 다이오드의 전류-전압 특성으로만 보면 역방향에서 동작하는 제너다이오드를 약간 이해하기 어렵게 만드는 부분이 있습니다. 제너 다이오드의 전류-전압 특성을 거꾸로 세워 보면, 순방향에 익숙한 우리눈에 소자의 특성을 더 잘 파악할 수 있습니다.
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제너 다이오드 사용법 (제너 저항 계산) – 네이버 블로그
입력전압이 5.1V 이상이면 제너다이오드에서 항복현상이 일어나서 5.1V 정전압으로 출력되며 만약 5.1V 이하의 입력전압이 들어온다면 그 전압이 출력되게 …
Source: m.blog.naver.com
Date Published: 8/25/2021
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전원회로에 대해 알아봅시다 – 5 : 제너다이오드를 이용한 정전압 …
이러한 제너다이오드 항복전압 특성을 이용해 정전압 회로를 구성한 것이 제너다이오드 정전압 회로랍니다. 회로는 전류제한 저항 Rs와 제너다이오드(ZD) …
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Date Published: 3/6/2021
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제너 다이오드에 저항을 연결하는 이유
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Source: bbangpower-blog.blogspot.com
Date Published: 9/27/2022
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다이오드, 제너다이오드 정리 – 편하게 보는 전자공학 블로그
다이오드. 먼저 다이오드는 전류를 한쪽 방향으로만 흐르게 해주는 소자입니다. 따라서 역전압을 막을 수 있고(부품의 고장 방지).
Source: kkhipp.tistory.com
Date Published: 7/2/2022
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실험 2 :제너 다이오드의 특성 – PART5반도체 (Semiconductor)
1~6항을 참고하여 Zener Diode를 9.1V(D2)로 교체 후 표 5-4에 측정값을 기록한다. tab1. 실험 5-2.1 6.1V 제너 다이오드 특성 측정 (M-05의 Circuit-2에서 그림 5 …
Source: ebook.chungpaemt.co.kr
Date Published: 8/9/2022
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제너다이오드_사용법
아직미분류/전기전자. 제너다이오드_사용법. GALAHAD 2011. 7. 11. 18 …
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Date Published: 10/28/2022
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(제너다이오드, 레귤레이터 사용법, 전압 다운하기). pepsiman 2009. 9. 11. 14:47. – 5V와 3.3V 같이 사용하기. 아두이노나 atmega128같은 AVR은 주로 5v에서 구동이 …
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Date Published: 4/24/2021
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![[전기전자 강의] 트랜지스터 12. 제너 다이오드( zener diode ) 와 제너항복의 메카니즘. 터널링 ( tunneling ) 효과가 발생하는 불순물 농도는 어디쯤인가?](https://i.ytimg.com/vi/86pv3OF9w1k/maxresdefault.jpg)
주제에 대한 기사 평가 제너 다이오드 사용법
- Author: SSM 전기전자 강의
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- Date Published: 2019. 11. 25.
- Video Url link: https://www.youtube.com/watch?v=86pv3OF9w1k
정전압 (제너) 다이오드 : 전자 기초 지식
구조 기호 용도・특징 정전압 회로
서지 전류 및 정전기로부터 IC 등을 보호하는 보호 디바이스.
역방향의 전압이 가해질 때 정전압을 발생시킨다.
제너 다이오드는 전류가 변화되어도 전압이 일정하다는 특징을 이용하여 정전압 회로에 사용되거나, 서지 전류 및 정전기로부터 IC 등을 보호하는 보호 소자로서 사용됩니다.
일반적인 다이오드는 순방향으로 사용되는 것에 반해, 제너 다이오드는 역방향으로 사용된다는 특징이 있습니다.
역방향에서의 항복전압을 제너 전압 (V Z ), 이 때의 전류치를 제너 전류 (I Z )라고 합니다.
최근, 전자 디바이스의 미세화 / 고기능화에 따라 한층 더 고성능을 지닌 보호 소자가 요구되고 있으며, TVS (Transient Voltage Suppressor) 와의 차별화가 진행되고 있습니다.
제너 다이오드 사용법 (제너 저항 계산)
입력전압이 5.1V 이상이면 제너다이오드에서 항복현상이 일어나서 5.1V 정전압으로 출력되며 만약 5.1V 이하의 입력전압이 들어온다면 그 전압이 출력되게 된다.
여기서 제너다이오드 상단에 직렬로 저항을 연결하여 제너다이오드에 흐르는 전류를 제한하게 되는데 이를 제너저항 또는 제너다이오드 전류제한저항이라고 부른다.
이 저항값을 계산하는 식은 아래와 같다.
전원회로에 대해 알아봅시다 – 5 : 제너다이오드를 이용한 정전압 회로
전원회로에 대해 알아봅시다 – 5 : 제너다이오드를 이용한 정전압 회로
제너다이오드를 이용한 정전압회로에 대해 알아봅시다…
정전압 회로 중 가장 간단하게 구성되는 제너다이오드를 이용한 정전압회로에 대해 알아봅니다..
제너다이오드를 이용한 정전압 회로를 이해하기 앞서 다이오드 중에서 제너다이오드에 대한 이해를 먼저
하는 것이 좋을 것 같네요..
제너다이오드 특성곡선
먼저, 제너다이오드 특성곡선을 보면, 다이오드가 항복전압 영역에서 동작할 수 있는 최소 역방향 전류 Iz_min 과,
정격을 초과하지 않고 견딜 수 있는 최대 역방향 전류 Iz_max 사이에서 동작될 경우, 제너다이오드 양단 전압은
일정하게 유지된답니다.
이러한 제너다이오드 항복전압 특성을 이용해 정전압 회로를 구성한 것이 제너다이오드 정전압 회로랍니다.
회로는 전류제한 저항 Rs와 제너다이오드(ZD)로 구성되고, 제너다이오드(ZD)와 부하(RL)이 병렬로 연결된 병렬형
정전압 회로랍니다.
제너다이오드를 이용한 정전압 회로
회로를 살펴보면 저항 Rs가 있는데, 제너다이오드가 동작하기 위한 전류와, 필요한 부하전류를 공급하는
아주 중요한 역할을 한답니다.
따라서, 충분한 전류가 흐를 수 있도록 정확하게 선택되어져야 한답니다…
이러한 저항 Rs 값을 산출하기 위해서는 먼저, 저항 Rs에서 발생하는 전압강하 Vrs 값과 제너다이오드의 제너 전압 값
즉, 필요한 출력전압 값을 알아야 한답니다..
입력전압은 저항의 전압강하 값과 제너 전압값의 합이 되므로,
Vin = Vrs + Vz
따라서, Rs에서 발생하는 전압강하 Vrs 값은, 입력전압에서 제너다이오드의 제너 전압 Vz를 뺀 값이 된답니다.
Vrs = Vin – Vz
회로에서 부하에 흐르는 전류 IL은, 무부하시에는 제너다이오드가 부하가 되므로, 제너다이오드로 흐르는 전류 Iz가 최소 부하전류 Is_min이 되고, 부하시 흐르는 최대 부하전류 Is_max은 부하전류 IL 과 제너다이오드에 흐르는 전류 Iz의 합이 된답니다
이것을 굳이 수식으로 표현한다면 다음과 같고, 이러한 수식을 이용해서 Rs 저항값을 산출할 수 있게 된답니다.
최소 전압강하 Vrs_min = Vin_min – Vz
최대 전압강하 Vrs_max = Vin_max – Vz
최소 부하전류 Is_min = Iz
최대 부하전류 Is_max = IL + Iz
저항 Rs는 입력전원과 부하에서 소요되는 전류 값으로 계산되므로 다음과 같이 계산될 수 있겠네요…
Rs (Ω) = (Vin_min – Vz) / Is_max
위 수식을 가만히 살펴보면, 저항 Rs가 결정되고 나면, 제너다이오드에 흐르는 전류는 부하가 있을 때보다
무부하시에 많은 전류가 흐르는 것을 알 수 있답니다.
따라서, 제너다이오드에 최대 전류가 흐르게 되는 시점은, 무부하 상태에서, 최대 변동전압이 입력되었을 때이므로,
최대 제너 전류 Iz의 계산은
Iz_max = (Vin_max – Vz) / Rs
이 되는 것이지요..
그러므로, 부하전류 IL 이 변동되는 경우(0∼MAX(A)), 제너전류 Iz 도 같이 변동(MAX ~ (Iz_max-IL))되는 것을
알 수 있답니다.
즉, 부하가 변하면 부하전류와 제너다이오드를 흐르는 전류도 변한다는 것을 알 수 있지요..
따라서, 계산된 제너다이오드의 최대 전류 Iz 값은 사용될 제너다이오드가 버틸수 있는 허용전류 값으로 판단할 수
있답니다.
회로를 구성할 때 최대 제너 전류 Iz를 충족하지 못하는 제너다이오드를 사용할 경우, 부하의 변동폭이 큰 회로에서는,
제너다이오드가 버틸 수 있는 허용 전류를 초과하여 소손 또는 파괴되어 버린답니다..
이렇듯, 제너다이오드를 사용하여 정전압 회로를 구성할 때 가장 중요한 요소로 작용하는 것은
부하에서 사용될 부하전류를 명확하게 설정하는 것이랍니다.
따라서, 제너다이오드를 사용한 정전압 회로는 부하에 따라 부하전류의 변동폭이 매우 크게 변하므로,
부하전류의 변동이 적은 용도에서 제한적으로 사용하는 것이 좋답니다.
이상으로 제너다이오드를 이용한 정전압회로에 대해 알아보았습니다…
다음은 제너다이오드와 트랜지스터를 이용한 정전압 회로에 대해 알아보겠습니다.
제너 다이오드에 저항을 연결하는 이유
원문: https://www.schneider-electric.co.uk/en/faqs/FA142566/ 산업용 근접센서는 대부분 반도체 부품으로 만들어집니다. 근접센서에서, 트랜지스터와 같은 반도체 부품은 물체의 근접을 감지하게 되면 출력을 스위칭(출력을 내보내거나 차단) 하는데 사용됩니다. 3선 결선 방식의 센서는 회로와 트랜지스터 구성방식에 따라 PNP 타입과 NPN 타입으로 나눌 수 있습니다. 한가지 중요한 점은 PNP, NPN 타입의 구분은 센서가 NO(normally open) 타입인지, NC(normally closed) 타입인지와는 상관이 없다는 것입니다. PNP, NPN 타입 센서 모두 NO, NC 접점을 가질 수 있습니다. PNP, NPN 타입 중 무엇을 선택해야 하나? PNP, NPN 센서 타입 중 어떤 것을 사용할 지는 센서가 사용될 회로의 환경에 달려 있습니다. 릴레이를 사용하는 전통적인 회로 구성방식에서는 아래와 같이 PNP, NPN 센서를 사용할 수 있습니다. PNP 방식은 센서의 출력선을 릴레이 코일의 +단자에 결선합니다. NPN 방식의 센서는 출력선을 릴레이 코일의 -단자에 결선합니다. NPN 방식보다는 PNP 방식이 많이 사용되고 있습니다. PLC를 이용하는 환경에서 센서의 타입을 선택하는 경우에는 PLC 입력카드의 타입에 유의해야 합니다. PLC 입력카드에는 입력카드의 입력단자로 전류가 흐르는 sink타입과, 입력카드 입력단자에서 전류가 나가는 source타입 두가지가 있습니다. PNP 타입의 센서를 사용하는 경우 sink 타입의 입력카드를 사용하고, COM단자에 -전원을 인가합니다. 그리고 센서의 출력부를 입력카드의 입력단자에 연결합니다. NPN 타입의 센서를 사용하는 source 타입의 입력카드를 사용하고, COM단자에 +전원을 인가합니다. 그리고 센서의 출력부를 입력카드의 입력단자에 연결합니다. PNP 타입의 센서가 많이 사용되므로 덩달아 sink 타입
다이오드, 제너다이오드 정리
이번 시간에는 다이오드에 대해서 알아보겠습니다!!!!
생각보다 많이 쓰이는 다이오드!!!
다이오드
먼저 다이오드는 전류를 한쪽 방향으로만 흐르게 해주는 소자입니다.
따라서 역전압을 막을 수 있고(부품의 고장 방지)
교류를 직류로 만들어 주는 기능도 할 수 있습니다. 이 경우 보통 브릿지 다이오드를 사용합니다.
출처 : https://ko.wikipedia.org/wiki/다이오드_브리지
다이오드에 대해서 좀 더 자세히 알아보면 PN접합으로 이루어져 있습니다.
출처 : https://en.wikipedia.org/wiki/P%E2%80%93n_junction
N형 반도체는 전자가 많이 존재하고 P형 반도체는 정공(hole)이 많이 존재한다는 특성이 있습니다.
P형 반도체와 N형 반도체를 좀 더 살펴보면
출처 : http://blog.naver.com/dotori6822/220879438059
그림(가) N형 반도체는 14족(Si, Ge) 원자에 15족(P, As, Sb) 원자를 첨가(도핑)해서 전자가 존재하는 경우입니다.
그림(나) P형 반도체는 14족(Si, Ge) 원자에 13족(B, Ga, In) 원자을 첨가(도핑)해서 정공(hole)이 존재하고
출처 : https://electronics.stackexchange.com/questions/140596/diffusion-process-in-p-n-junction
PN접합경계면 주위에 자유전자와 정공의 확산에 의해 공핍층이 생기게 되는데요.
AReS
PART5 반도체 (Semiconductor)
실험 2 : 제너 다이오드의 특성
이론
제너다이오드는 역방향 항복점을 이용하는 것을 제외하고는 보통의 다이오드와 비슷하다. 따라서 역방향 항복점은 제조과정에서 조심스럽게 조절되어지며, 이러한 제너전압은 2~3V로부터 200V 이상까지 어떤 값이나 얻을 수 있다. 그림 5-5 (a)는 적절한 전류와 전압에 대한 제너다이오드의 특성곡선을 나타낸 것이다. I ZK 는 다이오드가 항복영역 내에서 동작할 때의 최소 역방향 전류이며, I ZM 은 다이오드가 전력정격을 초과하지 않고 견딜 수 있는 최대역방향전류이다. I ZK 와 I ZM 사이에서 곡선의 기울기는 제너임피던스 Z Z 로 알려져 있다. 곡선의 기울기는 수평축에 따른 변화량을 수직축에 따른 변화량으로 나누어 줌으로써 구할 수 있다. 전압, 전류 또는 다른 변수들의 변화는 그리스 문자 Δ(델타)로서 나타낸다. 그러므로 그림 5-5에 나타낸 곡선의 기울기는 ΔV/ΔI로 주어진다.
제너다이오드를 I ZK 와 I ZM 사이에서 동작시킬 경우 다이오드 양단의 전압은 비교적 일정하게 된다. 이러한 원리가 그림 5-5 (b)에 보인 회로에서 실제로 적용되었다. 안정화 되지 않은 20~30V의 직류전압원이 회로에 인가되어 제너다이오드는 역방향 바이어스가 걸리게 되며, I ZK 를 넘어서 다이오드가 그림 5-5 (a)에 보인 조정영역에 놓이도록 충분한 역방향 전류가 공급된다고 가정한다. 그러면 출력전압은 비록 입력이 20V에서 30V까지 변한다고 하여도 비교적 일정하게 유지될 것이다. 그러므로 제너다이오드는 출력전압을 조정하게 되며, 출력회로에 대하여 병렬로 놓여 있으므로 병렬조정기라고 부르기도 한다. V out =V z 임을 유의하라. 그림 5-5 (b)에서 R s 는 제너조정기를 유지하고, 필요한 부하전류를 공급하기 위하여 항상 충분한 전류가 흐를 수 있도록 정확하게 선택하여야 한다. 만약 회로의 역방향 제너전류를 I ZK 에서 동작시킬 때, 부하는 보통 어떤 특정한 범위 이내에서 변화하게 된다. 만일 부하가 0에서 100mA까지 변화하고, 제너다이오드에서 I ZK 가 10mA라면, 양단의 전압이 최소일 때 를 통하여 흐르는 전류는 최소가 될 것이다. 그러므로는 모든 조건하에서 적당한 회로 동작이 가능하도록 제너다이오드의 I ZK 와 100mA의 최대부하전류를 공급하기 위하여 충분히 작아야 한다. 그러므로 R s 는 다음과 같이 결정된다.
불안정한 입력의 최소값(V R s ) min)이 20V이고, 부하에 100mA의 최대전류 (I IN max )가 흐를 때, 만일 45.5Ω보다 큰 R s 를 사용하였다면 제너는 충분한 역방향전류를 갖지 못하게 된다. 따라서 안전요소 (safety factor)를 고려하여 정확한 계산값보다 조금 작게 R s 를 선택하는 것이 바람직하다.
일단 제너다이오드 병렬조정기에 대한 적절한 값을 선택하였다면, R s 가 최소입력전압, 또는 최대부하전류 조건보다 더 큰 전류가 흐를 때 제너다이오드의 정격전력을 초과하지 않도록 안전하게 할 필요가 있다(제너다이오드 전류는 부하전류가 감소하면 반대로 증가하게 된다). 만일 입력전압이 20V의 최소값으로부터 증가한다면, 제너전압은 비교적 일정하게 유지되므로 R s 양단의 전압은 증가하게 된다. 비슷하게 만일 부하가 100mA보다 작게 전류가 흐르도록 변화한다면, 부하전류의 감소가 제너다이오드를 통하여 나타난다. 그러므로 병렬조정기의 제너다이오드에서 최대전력소모는 입력전압이 변화 범위에서 최대일 때, 그리고 부하전류가 최소값일 때 나타난다는 것을 알 수 있다. 그러므로 그림 5-4(b)의 회로에서 R s 의 에 대하여 최대 제너전류는 다음과 같이 계산된다.
여기서 I L min :최소 부하 전류
L Z maz : 최대 제너 전류
V (R s ) 는 30V에서 15V까지, and I L 은 0으로 주어졌으므로 .
제너다이오드에서 소모되는 최대전력은 제너전압과 전류의 곱과 같다.
제너다이오드에서 소모되는 최대전력은 I Z is 가 최대일 때 나타난다. 그러므로 P Z =15V×330mA=4.95W 가 된다.
실험 과정
1. M-05의 회로-2에서 2c-2i, 2e-2k을 단락시켜서 그림 5-6 (a)와 같이 회로를 구성한다.
2. 입력전압을 6V로 조정 후 부하저항을 표 5-3과 같이 변화시키며 2e-2o에 걸리는 전압을 측정하여 기록한다. (점퍼를 사용하여 2e-2k, 2f-2l, 2g-2m, 2h-2n를 차례대로 단락시켜 부하저항을 교체한다.)
3. 2f-2i를 단락하여 그림 5-6 (b)와 같이 회로를 구성한다.
4. 입력전압을 6V로 그대로 두고 부하저항을 표 5-3과 같이 변화시키며 2h-2q에 걸리는 전압을 측정하여 기록한다.
5. 입력전압을 8V로 조정 후 그림 5-6 (a)와 그림 5-6 (b) 회로를 1항과 3항을 참고하여 결선하고 부하저항을 변화시켜 가며 전압을 측정한다.
6. 입력전압을 10V, 12V, 14V, 16V로 조정하여 나머지 실험을 진행한다.
7. 1~6항을 참고하여 Zener Diode를 9.1V(D 2 )로 교체 후 표 5-4에 측정값을 기록한다.
실험 5-2.1 6.1V 제너 다이오드 특성 측정 (M-05의 Circuit-2에서 그림 5-6(a), (b)와 같이 회로를 구성한다.) D1=Zener Diode 6.1V, R1= 1kΩ일 때 1. 결선방법(M-05의 Circuit-2, 그림 5-6(a)) 1. 회로 결선 Circuit-2의 단자 2c와 2i간을 황색선으로 연결하고, 단자 2e와 2k간을 황색선으로 연결한다. 2. 전원 결선 M04 보드의 Variable Power에 V1 단자와 Circuit-2의 Sig Input & DC Input 단자 2a(+) 간을 적색선으로 연결하고, COM 단자와 2b(-) 간을 흑색선으로 연결한다. 3. 계측기 결선 전압계 결선 저항 R3, R4, R5, R6 간 전압 측정 : R3의 단자 2k와 전면패널 Multimeter High 단자 간을 적색선으로 연결하고 단자 2q와 Low 단자 간을 흑색선으로 연결한다. 2. 결선도 flash 3. 측정 방법 1 Touch LCD 패널의 좌측 메뉴에서 dmm 를 선택하고, dcv 을 선택한다. 2 Touch LCD 패널 하단의 quick launch 를 선택하고 Variable Power를 클릭하면 3 CH DC 화면이 나온다. 3 DC Voltage V1의 지시값 표시창인 00.0V의 우측에 arrow right 을 클릭하여 입력전압을 6V로 설정하고 on 를 클릭하여 DMM에서 지시되는 R3 양단 전압값을 표 5-3 해당 란에 기록한다. 6V 입력시 R3 양단 전압 R4 양단 전압은 2l에 연결된 연결선을 2l로 옮겨서 DMM에서 지시되는 전압값을 표 5-3 해당 란에 기록한다. R5 양단 전압은 2m에 연결된 연결선을 2m으로 옮겨서 DMM에서 지시되는 전압값을 표 5-3 해당 란에 기록한다. R6 양단 전압은 2n에 연결된 연결선을 2n으로 옮겨서 DMM에서 지시되는 전압값을 표 5-3 해당 란에 기록한다. 4 DC Voltage V1의 지시값 표시창인 06.0V의 우측에 arrow right 을 클릭하여 입력전압을 8V, 10V, 12V, 14V, 16V로 변환하면서 측정방법 3) 과정을 수행하여 측정값을 표 5-3 해당 란에 기록한다. 5 측정이 끝나면 on red 을 클릭하여 출력을 차단한다. D1=Zener Diode 6.1V, R1= 220Ω일 때 1. 결선방법(M-05의 Circuit-2, 그림 5-6(b)) 1. 회로 결선 Circuit-2의 단자 2f와 2i간을 황색선으로 연결하고, 단자 2h와 2k간을 황색선으로 연결한다. 2. 전원 결선은 [D1, R1= 1kΩ일 때]>결선 방법>전원 결선 과 동일하다 3. 계측기 결선은 [D1, R1= 1kΩ일 때]>결선 방법>계측기 결선 과 동일하다 2. 결선도 flash 3. 측정 방법 1 [D1, R1= 1kΩ일 때]>측정 방법 과 동일하게 수행하여 표 5-3의 해당 란에 기록한다. 2 측정이 끝나면 on red 을 클릭하여 출력을 차단한다. 4. 계산 1. 그림 5-6(a) (b) 회로에서 부하 R3로 흐르는 부하 전류(I L )를 계산하고, 제너다이오드로 흐르는 제너 전류(I Z )를 계산하시오.
실험 5-2.2 9.1V 제너 다이오드 특성 측정 (M-05의 Circuit-2에서 그림 5-6(a), (b)와 같이 회로를 구성한다.) D2=Zener Diode 9.1V, R1= 1kΩ일 때 1. 결선방법(M-05의 Circuit-2, 그림 5-6(a)) 1. 회로 결선 Circuit-2의 단자 2c와 2j간을 황색선으로 연결하고, 단자 2e와 2k간을 황색선으로 연결한다. 2. 전원 결선 M04 보드의 Variable Power에 V3 단자와 Circuit-2의 Sig Input & DC Input 단자 2a(+) 간을 적색선으로 연결하고, COM 단자와 2b(-) 간을 흑색선으로 연결한다. 3. 계측기 결선 전압계 결선 저항 R3 양단 전압 측정 : R3의 단자 2k와 전면패널 Multimeter High 단자 간을 적색선으로 연결하고 단자 2q와 Low 단자 간을 흑색선으로 연결한다. 2. 결선도 flash 3. 측정 방법 1 [D1, R1= 1kΩ일 때]>측정 방법 1)~4) 과정을 수행하여 표 5-4의 해당 란에 기록한다. 2 측정이 끝나면 on red 을 클릭하여 출력을 차단한다. D2=Zener Diode 9.1V, R1= 220Ω일 때 1. 결선방법(M-05의 Circuit-2, 그림 5-5(b)) 1. 회로 결선 Circuit-2의 단자 2f와 2j간을 황색선으로 연결하고, 단자 2h와 2k간을 황색선으로 연결한다. 2. 전원 결선은 [D1, R1= 1kΩ일 때]>결선 방법>전원 결선 과 동일하다 3. 계측기 결선은 [D1, R1= 1kΩ일 때]>결선 방법>계측기 결선 과 동일하다 2. 결선도 flash 3. 측정 방법 1 [D1, R1= 1kΩ일 때]>측정 방법 1)~4) 과정을 수행하여 표 5-4의 해당 란에 기록한다. 2 측정이 끝나면 on red 을 클릭하여 출력을 차단한다. 4. 계산 1. 그림 5-5(a) (b) 회로에서 부하 R3로 흐르는 부하 전류(I L )를 계산하고, 제너다이오드로 흐르는 제너 전류(I Z )를 계산하시오.
전압을 내 마음대로… (제너다이오드, 레귤레이터 사용법, 전압 다운하기)
– 5V와 3.3V 같이 사용하기
하지만 xBee(지그비)나 wiz811mj 같이 3.3v에서 구동되는 모듈들을 사용할 일이 종종 생깁니다.
이럴때 5v를 3.3v로 다운하여 사용하여야 하는데 이같이 전압을 변경하는 방법이 몇가지 있습니다.
1. 레귤레이터(regulator) 사용하기
제일 쉬운 방법은 레귤레이터를 사용하는 방법입니다.
전압 다운
5v 레귤레이터로는 78T05, 3.3v 레귤레이터로는 KA78R33, LM1117S-3.3 등이 있습니다.
위 이미지는 7805를 이용하여 8~18v로 5v를 얻는 방법입니다.
같은 방법으로 3.3v 레귤레이터를 사용하면 3.3v를 얻을 수 있습니다.
전압 업
7805와 위 공식으로 저항을 조절하면 입력보다 높은 전압을 얻을 수 있다네요.
2. 제너 다이오드(zener diode) 사용방법
제너 다이오드 1N4728로 3.3v를 만들고 저항으로 필요 전류를 조절하면 됩니다
저항을 줄이면 전류가 늘어나게 됩니다.
3. 레벨 변환칩 사용
이 방법은 아직 잘 모르겠습니다 ^^;
4. 전압나눔 을 이용한 방법
이 방법은 입력전압이 변하면 출력 전압도 변하므로 안정된 전압은 얻을수 없다는 문제가 있습니다.
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아두이노나 atmega128같은 AVR은 주로 5v에서 구동이 됩니다.
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